Корпорация Toshiba анонсировала выпуск 32-ГБ модулей флэш-памяти типа NAND, которые, как сообщается, предлагают самую высокую плотность хранения данных среди аналогов. Новые серии продуктов соответствуют требованиям стандартов e-MMC и eSD (соответственно, ассоциаций MultiMediaCard и SD).

Встраиваемая память высокой плотности востребована в портативной пользовательской электронике: в цифровых фотоаппаратах, сотовых телефонах, видео и аудиоплеерах — для них и предназначаются серии новых емких модулей памяти Toshiba.

Разработанные компанией устройства имеют емкость от 1 до 32 ГБ (8х32-Гбит чипов) и производятся по освоенному в Toshiba современному 43-нм техпроцессу, а также с применением интегрированного контроллера памяти. Эта память удовлетворяет требованиям стандартов JEDEC/MMCA Ver 4.3 и SDA Ver 2.0. Тип упаковки (169Ball FBGA и 153Ball FBGA), как и размеры — варьируются в зависимости от серии и модели модуля памяти. Кроме высокой плотности обе серии памяти могут похвастать широким диапазоном температур: от -25С до +85С.

Полный список памяти серии e-MMC выглядит так:

    * THGBM1G8D8EBAI2 — 32 ГБ
    * THGBM1G7D8EBAI0 — 16 ГБ
    * THGBM1G7D4EBAI2 — 16 ГБ
    * THGBM1G6D4EBAI4 — 8 ГБ
    * THGBM1G5D2EBAI7 — 4 ГБ
    * THGBM1G4D1EBAI7 — 2 ГБ
    * THGBM1G3D1EBAI8 — 1 ГБ

Серия eSD представлена такими моделями:

    * THGVS4G8D8EBAI2 — 32 ГБ
    * THGVS4G7D8EBAI0 — 16 ГБ
    * THGVS4G7D4EBAI2 — 16 ГБ
    * THGVS4G6D4EBAI4 — 8 ГБ
    * THGVS4G5D2EBAI4 — 4 ГБ
    * THGVS4G4D1EBAI4 — 2 ГБ
    * THGVS4G3D1EBAI8 — 1 ГБ

Самые первые ознакомительные образцы, причем с максимальной емкостью, появятся и будут отгружены уже в сентябре, за ними последуют менее емкие модули (до конца года). Массовое производство Toshiba начнет в четвертом квартале 2008 года — первом квартале 2009 года.

Источник: Toshiba